Infineon BSZ0902NSATMA1

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
$ 0.388
Production

Preço e estoque

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon BSZ0902NSATMA1.

element14 APAC

Datasheet9 páginas13 anos atrás

Upverter

IHS

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
-32.38%

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon BSZ0902NSATMA1 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
Component Search Engine
SímboloPegada
3DBaixar
EE Concierge
SímboloPegada
SnapEDA
SímboloPegada
3DBaixar
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)

Peças relacionadas

Power MOSFET, N Channel, 30 V, 40 A, 0.0035 ohm, PG-TSDSON, Surface Mount
onsemiFDMS7698
N-Channle 30 V 22 A 10 mohm Surface Mount PowerTrench Mosfet - Power 56
onsemiFDMC7696
N-Channel PowerTrench® MOSFET 30V, 12A, 11.5mΩ
onsemiFDMS7694
Trans MOSFET N-CH Si 30V 13.2A 8-Pin PQFN EP T/R / MOSFET N-CH 30V POWER56
Trans MOSFET N-CH 30V 17A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Single N-Channel 30 V 16 mOhm 4.2 nC HEXFET® Power Mosfet - PQFN 2 x 2 mm

Descrições

Descrições de Infineon BSZ0902NSATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, N-CH, 30V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Source Voltage Vds:30V; On Resistance
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
MOSFET, N-CH, 30V, 40A, TSDSON-8; Transistor Polarity: N Channel; Continuous Drain Current Id: 40A; Drain Source Voltage Vds: 30V; On Resistance Rds(on): 0.0022ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: 10V; Threshold Voltage Vgs: 2V; Power Dissipation Pd: 48W; Transistor Case Style: TSDSON; No. of Pins: 8Pins; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; Automotive Qualification Standard: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • BSZ0902NS
  • BSZ0902NSXT
  • SP000854386