Infineon BSZ060NE2LSATMA1

Name: Infineon BSZ060NE2LSATMA1
Brand: Infineon
SKU: BSZ060NE2LSATMA1

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Surface Mount

$ 0.261

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Avnet		BSZ060NE2LSATMA1	42.000	5K						0,170	3d
Newark	2	BSZ060NE2LSATMA1	7.128	5	Cut Tape		0,587	0,434	0,334	0,334
Arrow Electronics	3	BSZ060NE2LSATMA1	14.268	1		0,722	0,499	0,374	0,261	0,200
Rutronik		TMOSP10544	95.000	5K						0,213	22h
Rochester Electronics		BSZ060NE2LSATMA1	5.000					0,245	0,203	0,181	14h

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Newark

Datasheet9 páginas13 anos atrás

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Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date2011-03-18

Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 weeks ago)

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Descrições

Descrições de Infineon BSZ060NE2LSATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Power MOSFET, N Channel, 25 V, 40 A, 0.005 ohm, TSDSON, Surface Mount

EBV Elektronik

MOSFET Devices; INFINEON; BSZ060NE2LS; 25 V; 12 A; 20 V; 26 W

Maritex

2.1W 20V 2V 9.1nC 1N 25V 6m¦¸@ 10V 40A 670pF@ 12V TSDSON-8 , 3.3mm*3.3mm*1.1mm

UnikeyIC

Trans MOSFET N-CH 25V 12A 8-Pin TSDSON T/R

Avnet Japan

12 A 25 V 0.0081 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET

Component Stockers USA

Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 25V, 0.0081ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

IHS

MOSFET N-Ch 12A 25V OptiMOS TSDSON8EP

RS APAC

25V 40A 5m´Î@10V20A 26W 2V@250uA 31pF@12V N Channel 670pF@12V 4.4nC@0~4.5V -55¡Í~+150¡Í@(Tj) PG-TSDSON-8 MOSFETs ROHS

Dasenic

With the OptiMOS™ 25V product family, Infineon sets new standards in power density and energy efficiency for discrete power MOSFETs and system in package. Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6).

Infineon

Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:25V; Continuous Drain Current Id:40A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:2V; Power Dissipation:26W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon BSZ060NE2LSATMA1.

Newark

Imagens

Farnell

TME

Future Electronics

Component Sense

LZChips

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

BSZ060NE2LS
BSZ060NE2LSATMA1.
BSZ060NE2LSXT
SP000776122

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses: -5.55%

Modelos CAD

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Peças alternativas

0 peça disponível

Especificações técnicas

Physical

Contact PlatingTin

MountSurface Mount

Number of Pins8

Number of Terminals8

Technical

Continuous Drain Current (ID)12 A

Drain to Source Resistance8.1 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)25 V

Fall Time1.8 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance670 pF

Max Dual Supply Voltage25 V

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation26 W

Min Breakdown Voltage25 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

On-State Resistance6 mΩ

Package Quantity5000

PackagingTape & Reel

Power Dissipation26 W

Rise Time2.2 ns

Schedule B8541290080

Threshold Voltage2 V

Turn-Off Delay Time11 ns

Turn-On Delay Time2.5 ns

Fichas técnicas e documentos

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Conformidade

Classificação ambiental

China RoHSNon-Compliant

Halogen FreeHalogen Free

Lead FreeContains Lead

REACH SVHCNo

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Conflict Mineral StatementN/AN/A