Infineon BSZ050N03LSGATMA1
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMalaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-07-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 1 week ago)
Peças relacionadas
Descrições
Descrições de Infineon BSZ050N03LSGATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 40A; 50W; PG-TSDSON-8
Trans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin TSDSON T/R
30V 16A 2.1W 5m´Î@10V20A 2.2V@250Ã×A N Channel PG-TSDSON-8 MOSFETs ROHS
40 A 30 V 0.0078 ohm N-CHANNEL Si POWER MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 40A I(D), 30V, 0.0078ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET N-Ch 16A 30V OptiMOS3 TSDSON8EP
2.1W(Ta),50W(Tc) 20V 2.2V@ 250¦ÌA 35nC@ 10 V 1N 30V 5m¦¸@ 20A,10V 40A 2.8nF@15V SON 3.3mm*3.3mm*1.1mm
BSZ050N03 - 12V-300V N-CHANNEL P
MOSFET, N CH, 40A, 30V, PG-TSDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:30V; On Resistance Rds(on):4.2mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:50W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:40A; Power Dissipation Pd:50W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Ultra low gate and output charge, together with lowest on-state resistance in small footprint packages, make OptiMOS™ 25V the best choice for the demanding requirements of voltage regulator solutions in servers, datacom and telecom applications. OptiMOS™ 30V products are tailored to the needs of power management in notebook by improved EMI behavior, as well as increased battery life. Available in halfbridge configuration (power stage 5x6)
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.16%
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Especificações técnicas
Physical
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)40 A
Drain to Source Resistance7.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance2.1 nF
Max Dual Supply Voltage30 V
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation50 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance5 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation50 W
Rds On Max5 mΩ
Rise Time4 ns
Schedule B8541290080
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade