Infineon BSZ034N04LSATMA1
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginGermany, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-11-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonBSZ028N04LSATMA1
N-Ch MOSFET 63W 40V 20V 1.2V 45nC 2.2mΩ 40A TSDSON-8 SMD, Adhesive Mount 3.3mm × 3.3mm × 1.1mm
VishaySIR414DP-T1-GE3
MOSFET, N CH, 40V, 50A, POWERPAK SO; Transistor Polarity:N Channel; Continuous D
Descrições
Descrições de Infineon BSZ034N04LSATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Ch MOSFET 40V 2.1kW 2V 25nC@10V 13nC@4.5V 3.4mΩ@10V 1.8nF@20V TSDSON-8 3.3mm × 3.3mm × 1.1mm
OPTIMOS POWER-MOSFET Power Field-Effect Transistor, 19A I(D), 40V, 0.0046ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
OptiMOS™ 40V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops. In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control and fast switching DC-DC converter.
MOSFET, N-CH, 40V, 40A, TSDSON; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:40A; Drain Source Voltage Vds:40V; On Resistance Rds(on):0.0027ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:2V; Power
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -95.48%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)19 A
Drain to Source Resistance4.6 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.8 nF
Max Dual Supply Voltage40 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2.1 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance3.4 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation52 W
Rds On Max3.4 mΩ
Rise Time4 ns
Schedule B8541290080
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCAffected
RoHSCompliant
Declarações de conformidade