Infineon BSP297L6327HTSA1

Name: Infineon BSP297L6327HTSA1
Brand: Infineon
SKU: BSP297L6327HTSA1

Mosfet N-ch 200V 660MA SOT-223

Obsolete

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Distributor	SKU		Min	Pkg
Win Source	WS-BSP297L6327HTSA1	3.010	90				0,654	0,435	0,435	19h
Worldway Electronics	BSP297L6327HTSA1	8.775	7	Tape & Reel		0,169	0,164	0,155	0,155	18h
Aztech	BSP297L6327HTSA1	8.274			5,330	5,330	5,330	5,330	5,330	14h
Run Hong Electronics	BSP297L6327HTSA1	7.644			1,841	1,841	1,841	1,841	1,841	6h
Fly-Wing Technology	BSP297L6327HTSA1	1.984			0,538	0,441	0,428	0,400	0,400	17h

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IHS

Datasheet8 páginas18 anos atrás

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Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

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Descrições

Descrições de Infineon BSP297L6327HTSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

MOSFET N-CH 200V 660MA SOT-223

Avnet

Power Field-Effect Transistor, 0.66A I(D), 200V, 1.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Semicontronic

SMALL-SIGNAL N-CHANNEL MOSFET

Jak Electronics

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

Infineon Technologies
INF
INFINEO
INFINE
INFIN
INFINION
INFI
INFENION
SIM
INFIEON
INFINEON TECH
INFINEN
IFX
INFIENON
IR/INFINEON
INFINEON/IR
IFT
INFINEON/SIEMENS
LNFINEON
INFN
Infineon Tech ICs
INFINEON TECHNOLOGIE
NFINEON
INFINEON/Infineon
INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageTO-261-4

MountSurface Mount

Number of Pins4

Number of Terminals4

Technical

Continuous Drain Current (ID)660 mA

Drain to Source Breakdown Voltage200 V

Drain to Source Resistance1.8 Ω

Drain to Source Voltage (Vdss)200 V

Fall Time19 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)20 V

Input Capacitance357 pF

Max Junction Temperature (Tj)150 °C

Max Operating Temperature150 °C

Max Power Dissipation1.8 W

Manufacturer Package IdentifierPG-SOT223-4

Min Breakdown Voltage200 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Channels1

Number of Elements1

PackagingTape & Reel

Power Dissipation1.8 W

Rds On Max1.8 Ω

Rise Time3.8 ns

Turn-Off Delay Time49 ns

Turn-On Delay Time5.2 ns

Dimensions

Height1.8 mm

Fichas técnicas e documentos

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IHS

Datasheet8 páginas18 anos atrás

_legacy Avnet

Conformidade

Classificação ambiental

Radiation HardeningNo

RatingsAEC-Q101

RoHSNon-Compliant

Declarações de conformidade

Conflict Mineral StatementN/AN/A