Infineon BSP135H6327XTSA1
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Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | BSP135H6327XTSA1 | 7.000 | 1K | 2d | ||||||||
| Newark | BSP135H6327XTSA1 | 19.671 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | BSP135H6327XTSA1 | 23.000 | 1K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | BSP135H6327XTSA1 | 2.643 | 1 | |||||||||
| Rutronik | TMOSS6534 | 3.000 | 1K | 14m |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginAustria, Mainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2012-11-29
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 2 weeks ago)
Descrições
Descrições de Infineon BSP135H6327XTSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 120 mA, 45 Ohm, SOT-223, 4 Pins, Surface Mount
Single N-Channel 600 V 45 Ohm 3.7 nC SIPMOS® Small Signal Mosfet - SOT-223
Trans MOSFET N-CH 600V 0.12A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R Automotive AEC-Q101
1.8W 20V 1V 3.7nC@ 5V 1N 600V 45¦¸@ 10V 120mA 98pF@ 25V SOT-223-4 , 6.5mm*3.5mm*1.6mm
MOSFET, N-CH, 600V, 0.12A, SOT-223-4; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:120mA; Drain Source Voltage Vds:600V; On Resistance Rds(on):25ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:-1.4
Infineon is one of the few semiconductor manufacturers worldwide to offer depletion MOSFETs.Areas of application include power supply startup power, over-voltage protection, in-rush-current limiter, off-line voltage reference. With one single component it is possible to realize a simple current regulator. All products are suitable for automotive applications. In order to meet special requirements, depletion MOSFETs are available with V GS(th) indicator on the reel.
Transistor Polarity = N-Channel / Configuration = Single / Continuous Drain Current (Id) mA = 20 / Drain-Source Voltage (Vds) V = 600 / ON Resistance (Rds(on)) Ohm = 60 / Gate-Source Voltage V = 20 / Fall Time ns = 182 / Rise Time ns = 5.6 / Turn-OFF Delay Time ns = 28 / Turn-ON Delay Time ns = 5.4 / Operating Temperature Min. °C = -55 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-223 / Pins = 4 / Mounting Type = Surface Mount / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Power Dissipation (Pd) W = 1.8
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-261-4
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)120 mA
Drain to Source Breakdown Voltage600 V
Drain to Source Resistance45 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)600 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time182 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance98 pF
Max Dual Supply Voltage600 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.8 W
Manufacturer Package IdentifierPG-SOT223-4
Min Breakdown Voltage600 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
On-State Resistance45 Ω
Package Quantity1000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation1.8 W
Rds On Max45 Ω
Rise Time5.6 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time28 ns
Turn-On Delay Time5.4 ns
Dimensions
Height1.8 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade