Infineon BSC079N10NSGATMA1
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.29.00.95
Introduction Date2007-11-23
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2025-03-31
LTD Date2025-09-30
Peças relacionadas
InfineonBSC060N10NS3GATMA1
MOSFET Transistor, N Channel, 90 A, 100 V, 0.0053 ohm, 10 V, 2.7 V
InfineonBSC057N08NS3GATMA1
MOSFET Transistor, N Channel, 100 A, 80 V, 0.0047 ohm, 10 V, 2.8 V
Descrições
Descrições de Infineon BSC079N10NSGATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 100V 13.4A Automotive 8-Pin TDSON EP T/R
Power Field-Effect Transistor, 13.4A I(D), 100V, 0.0079ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Infineon's 100 V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both RDS(on) and FOM (figure of merit).
MOSFET, N CH, 100A, 100V, PG-TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage Vds:100V; On Resistance Rds(on):6.6mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:PG-TSDSON; No. of Pins:8; Current Id Max:100A; Power Dissipation Pd:156W; Transistor Type:Power MOSFET; Voltage Vgs Max:20V
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)13.4 A
Drain to Source Resistance7.9 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Fall Time11 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance4.4 nF
Max Dual Supply Voltage100 V
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation156 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
On-State Resistance7.9 mΩ
Package Quantity5000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation156 W
Rds On Max7.9 mΩ
Rise Time40 ns
Turn-Off Delay Time38 ns
Turn-On Delay Time24 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Halogen FreeHalogen Free
Lead FreeContains Lead
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade