Infineon BSC028N06LS3GATMA1

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
$ 1.197
EOL
Página do fabricanteFicha de dados

Preço e estoque

Ver todas as reduções de preço
DistributorSKUMinPkg
Avnet
2
BSC028N06LS3GATMA115.0005K
1d
Newark
2
BSC028N06LS3GATMA11.8771Cut Tape
Future Electronics
2
BSC028N06LS3GATMA15.0005KTape & Reel
Arrow Electronics
2
BSC028N06LS3GATMA113.8681
RutronikTMOSP95815.0005K
22h

Fichas técnicas e documentos

Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon BSC028N06LS3GATMA1.

Newark

Datasheet9 páginas15 anos atrás

IHS

iiiC

Histórico de estoque

Tendência de 3 meses:
-47.14%
Powered bySpectra logo

Modelos CAD

Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon BSC028N06LS3GATMA1 direto dos nossos confiáveis parceiros.

FONTEeCADmCADARQUIVOS
Component Search Engine
SímboloPegada
3DBaixar
EE Concierge
SímboloPegada
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.

Cadeia de suprimentos

Country of OriginMainland China, Malaysia
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-12-19
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 weeks ago)
LTB Date2026-09-30
LTD Date2027-03-31

Peças relacionadas

onsemiFDMS86500L
FDMS86500L Series 60 V 158 A 2.5 mOhm N-Channel PowerTrench® MOSFET - POWER-56
Detalhes
onsemiFDMS86540
PT7 60V/20V Nch PowerTrench Mosfet - 8LD,PQFN,JEDEC MO-240 AA,5.0X6.0MM
Detalhes
onsemiFQD20N06LETM
MOSFET N-CH 60V 17.2A DPAK
Detalhes
InfineonBSC036NE7NS3GATMA1
2.5KW 20V 3.8V 63.4nC@ 10V 1N 75V 3.6m¦¸@ 10V 100A 4.4nF@ 37.5V TDSON(EP) , 5.15mm*590cm*1mm
Detalhes
InfineonIPD350N06LGBTMA1
Trans MOSFET N-CH 60V 29A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R / OptiMOS® Power-Transistor
Detalhes
STMicroelectronicsSTD20NF06T4
N-channel 60 V, 0.032 Ohm typ., 24 A Power MOSFET in DPAK package
Detalhes

Descrições

Descrições de Infineon BSC028N06LS3GATMA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 100A; 139W; PG-TDSON-8
Epart123
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 100 A, 0.0023 ohm, TDSON, Surface Mount
Avnet
MOSFET, N CH, 60V, 100A, TDSON-8; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:100A; Source Voltage Vds:60V; On Resistance
element14 APAC
OptiMOS™ 60 V is a perfect choice for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers and desktops and tablet charger.In addition these devices can be used for a broad range of industrial applications including motor control, solar micro inverter and fast switching DC-DC converter.
Infineon
Channel Type:N Channel; Drain Source Voltage Vds:60V; Continuous Drain Current Id:100A; Transistor Mounting:Surface Mount; Rds(On) Test Voltage:10V; Gate Source Threshold Voltage Max:1.7V; Power Dissipation:139W; No. Of Pins:8Pins Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BSC028N06LS3GATMA1.
Newark

Imagens

Farnell
Augswan
Newark
RS APAC
TME
LZChips

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • BSC028N06LS3 G
  • BSC028N06LS3-G
  • BSC028N06LS3G
  • BSC028N06LS3GATMA1.
  • SP000453652