Infineon BGS12SN6E6327XTSA1

BGSF12SN6 SPDT 6 GHz 0.65 dB SMT Wideband RF Switch - TSNP-6
Obsolete

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Farnell

Datasheet16 páginas9 anos atrás

IHS

Infineon

Newark

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Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8542.39.00.01
Introduction Date2011-01-20
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2022-09-15
LTD Date2025-12-15

Peças relacionadas

NXP SemiconductorsBGA2817,115
RF Amplifier, 24.4 dB Gain / 3.8 dB Noise, DC to 2.2 GHz, 3 V to 3.6 V Supply, SOT-363-6
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BGA2866 Series 5.5 V 17.4 mA Surface Mount MMIC Wideband Amplifier - TSSOP-6

Descrições

Descrições de Infineon BGS12SN6E6327XTSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.

BGSF12SN6 SPDT 6 GHz 0.65 dB SMT Wideband RF Switch - TSNP-6
The BGS12SN6 RF MOS switch is specifically designed for WLAN and Bluetooth applications, TSNP-6-2, RoHS
Infineon SCT
RF Switch Single SPDT 0.1GHz to 6GHz 6-Pin TSNP T/R
Wideband RF SPDT Switch In Small Package
RF SPDT Switch 6GHz 30dB ESD TSNP6
RS APAC
芯片, 射频开关, SPDT, 100MHZ-6GHZ, TSNP-6;
RF SWITCH, SPDT, 100MHZ-6GHZ, TSNP-6; Frequency Response RF Min:100MHz; Frequency Response RF Max:6GHz; IC Case / Package:TSNP; No. of Pins:6Pins; Operating Temperature Min:-40°C; Operating Temperature Max:85°C; Product Range:- RoHS Compliant: Yes
The BGS12SN6 RF MOS switch is specifically designed for WLAN and Bluetooth applications. Any of the 2 ports can be used as termination of the diversity antenna handling up to 30 dBm. This single supply chip integrates on-chip CMOS logic driven by a simple, single-pin CMOS or TTL compatible control input signal. The 0.1 dB compression point exceeds the switch’s maximum input power level, resulting in linear performance at all signal levels. The RF switch has a very low insertion loss of 0.25 dB in the 1 GHz and 0.29 dB in the 2.5 GHz range.Unlike GaAs technology, external DC blocking capacitors at the RF ports are only required if DC voltage is applied externally.The BGS12SN6 RF switch is manufactured in Infineon’s patented MOS technology, offering the performance of GaAs with the economy and integration of conventional CMOS including the inherent higher ESD robustness. The device has a very small size of only 0.7x1.1mm2 and a maximum height of 0.375 mm.Evaluation Board: BGS12SN6 BOARD

Nomes alternativos do fabricante

Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

  • Infineon Technologies
  • INF
  • INFINEO
  • INFINE
  • INFIN
  • INFINION
  • INFI
  • INFENION
  • SIM
  • INFIEON
  • INFINEON TECH
  • INFINEN
  • IFX
  • INFIENON
  • IR/INFINEON
  • INFINEON/IR
  • IFT
  • INFINEON/SIEMENS
  • LNFINEON
  • INFN
  • Infineon Tech ICs
  • INFINEON TECHNOLOGIE
  • NFINEON
  • INFINEON/Infineon
  • INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA

Números alternativos de peça

Esta peça pode ser conhecida por estes números alternativos de peça:

  • BGS 12SN6 E6327
  • BGS12SN6
  • BGS12SN6 E6327
  • BGS12SN6E6327
  • SP001068580