Infineon BCR503E6327HTSA1
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-08-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2023-09-30
LTD Date2024-09-30
Peças relacionadas
Diodes Inc.MMBTA05-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 60 V, 500 mA, 350 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.BC817-40Q-13-F
TRANS NPN 45V 0.5A SOT23-3 / Bipolar (BJT) Transistor NPN 45 V 500 mA 100MHz 310 mW Surface Mount SOT-23-3
ROHMSST2222AT116
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 40 V, 150 mA, 200 mW, SOT-23, Surface Mount
Descrições
Descrições de Infineon BCR503E6327HTSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
BCR503 Series NPN 50 V 500 mA SMT Silicon Digital Transistor - SOT-23-3
NPN SILICON DIGITAL TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Trans Digital BJT NPN 50V 500mA Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
Transistor Array NPN 2.2K 2.2K SOT23
Digital Trans, 50V, 2.2K/2.2K, Sot-23-3; Digital Transistor Polarity:Single Npn; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:50V; Continuous Collector Current Ic:500Ma; Base Input Resistor R1:2.2Kohm; Base-Emitter Resistor R2:2.2Kohm; Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BCR503E6327HTSA1
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 500 / DC Current Gain (hFE) = 40 / Power Dissipation (Pd) mW = 330 / Typical Input Resistor kOhm = 2.2 / Typical Resistor Ratio = 1 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 50 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 50 / Emitter-Base Voltage (Vebo) V = 10 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 300 / Operating Frequency MHz = 100
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)10 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating500 mA
Element ConfigurationSingle
hFE Min40
Input Resistance2.2 kΩ
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current500 mA
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation330 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation330 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height900 µm
Length2.9 mm
Width1.3 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade