Infineon BCR116E6327HTSA1
$ 0.081
EOL
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | BCR116E6327HTSA1 | 40.434 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Rochester Electronics | BCR116E6327HTSA1 | 30.000 | 12h | |||||||||
| DigiKey | BCR116E6327HTSA1CT-ND | 3.105 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Avnet | BCR116E6327HTSA1 | 0 | 39K | 1d | ||||||||
| Future Electronics | BCR116E6327HTSA1 | 0 | 3K | Tape & Reel |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -23.71%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon BCR116E6327HTSA1.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Infineon BCR116E6327HTSA1 direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada | ||
 SnapEDA | SímboloPegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Cadeia de suprimentos
Country of OriginAustria, Mainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1993-08-01
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2013-12-31
LTD Date2015-12-31
Peças relacionadas
onsemiKSC1623LMTF
KSC Series NPN 200 mW 50 V 100 mA Surface Mount Epitaxial Transistor - SOT-23
Diodes Inc.BC846A-7-F
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.BC847B-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 45 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
Diodes Inc.BC846B-7-F
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Surface Mount
ROHM2SCR502EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
ROHM2SCR522EBTL
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 20V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de Infineon BCR116E6327HTSA1 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
BCR116 Series NPN 50 V 100 mA SMT Silicon Digital Transistor - SOT-23-3
NPN SILICON DIGITAL TRANSISTOR Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Digital Trans, 50V, 4.7K/47K, Sot-23-3; Collector Emitter Voltage V(Br)Ceo:50V; No. Of Pins:3Pins; Product Range:Aec-Q101; Automotive Qualification Standard:Aec-Q101; Msl:Msl 1 - Unlimited; Svhc:No Svhc (27-Jun-2018); Base Input Rohs Compliant: Yes |Infineon Technologies BCR116E6327HTSA1
Transistor Polarity = NPN / Configuration = Single / Continuous Collector Current (Ic) mA = 100 / DC Current Gain (hFE) = 70 / Power Dissipation (Pd) mW = 200 / Typical Input Resistor kOhm = 4.7 / Collector-Base Voltage (Vcbo) V = 50 / Collector-Emitter Voltage (Vceo) V = 50 / Operating Temperature Max. °C = 150 / Operating Temperature Min. °C = -65 / Package Type = SOT-23 / Pins = 3 / Mounting Type = SMD / MSL = Level-1 / Packaging = Tape & Reel / Automotive Qualification Standard = AEC-Q101 / Collector Emitter Saturation Voltage Max. (Vce(sat)) mV = 300 / Operating Frequency MHz = 150
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -23.71%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage50 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Current Rating100 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min70
Input Resistance4.7 kΩ
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
Package Quantity3000
PackagingTape & Reel
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)50 V
Dimensions
Height1.1 mm
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Infineon BCR116E6327HTSA1.
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Halogen FreeNot Halogen Free
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade