Infineon AUIRLR3105
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-07-22
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2020-01-31
LTD Date2021-07-31
Peças relacionadas
InfineonIRLR2705TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 55V;RDS(ON) 0.04Ohm;ID 28A;D-Pak (TO-252AA);PD 68W;-55de
InfineonIRFR5505GTRPBF
MOSFET, P-CHANNEL, -55V, -18A, 110 MOHM, 21.3 NC QG, D-PAK, HALOGEN-FREE
Descrições
Descrições de Infineon AUIRLR3105 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Field-Effect Transistor, 25A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Automotive Q101 55V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak Package
MOSFET, N-CH, 55V, 25A, DPAK; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:25A; Drain Source Voltage Vds:55V; On Resistance Rds(on):0.03ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:57W; Operating Temperature Range:-55°C to +175°C; Transistor Case Style:TO-252AA; No. of Pins:3; MSL:MSL 1 - Unlimited; SVHC:No SVHC (19-Dec-2012)
Specifically designed for Automotive applications, this Stripe Planar design of HEXFET® Power MOSFETs utilizes the latest processing techniques to achieve low on resistance per silicon area, DPAK-3, RoHS
Infineon SCT
Benefits: Advanced Planar Technology; Logic-Level Gate Drive; Dynamic dv/dt Rating; Low On-Resistance; 175C Operating Temperature; Fast Switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive Avalanche Allowed up to Tjmax; Lead-Free, RoHS Compliant; Automotive Qualified
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDPAK
MountSurface Mount
Number of Pins3
Technical
Continuous Drain Current (ID)25 A
Drain to Source Breakdown Voltage55 V
Drain to Source Resistance30 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)55 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time37 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)16 V
Input Capacitance710 pF
Max Junction Temperature (Tj)175 °C
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation57 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Package Quantity3000
Power Dissipation57 W
Rds On Max37 mΩ
Rise Time57 ns
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time25 ns
Turn-On Delay Time8 ns
Dimensions
Height2.52 mm
Length6.73 mm
Width6.22 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade