Infineon AUIRF7316QTR
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Obsolete
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Rochester Electronics | AUIRF7316QTR | 20.054 | 19h | |||||||||
| DigiKey | 448-AUIRF7316QTRCT-ND | 1 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | AUIRF7316Q | 0 | 125 | Bulk | 8h | |||||||
| Farnell | AUIRF7316Q | 0 | 1 | Cut Tape | 19h | |||||||
| Microchip USA | AUIRF7316QTR | 206 | 300 | 2d |
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 EE Concierge | SímboloPegada | ||
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3,179,708
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Authorized Distributors
4
6
6
Mount
Surface Mount
Surface Mount
Surface Mount
Case/Package
SOIC
SOIC
SOIC
Drain to Source Voltage (Vdss)
-30 V
-30 V
-30 V
Continuous Drain Current (ID)
4.9 A
4.9 A
4.9 A
Threshold Voltage
-1 V
-1 V
-1 V
Rds On Max
58 mΩ
58 mΩ
58 mΩ
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
20 V
20 V
Power Dissipation
2 W
2 W
2 W
Input Capacitance
710 pF
710 pF
710 pF
Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-04-04
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2024-02-29
LTD Date2024-08-31
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InfineonIRF7316TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID -4.9A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20
InfineonIRF7316PBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.042Ohm;ID -4.9A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20
Descrições
Descrições de Infineon AUIRF7316QTR fornecidas pelos seus distribuidores.
Transistor MOSFET Array Dual P-CH 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
Automotive Q101 -30V Dual P-Channel HEXFET Power MOSFET in a SO-8 Package, SO8, RoHS
Infineon SCT
HEXFET POWER MOSFET Power Field-Effect Transistor, 4.9A I(D), 30V, 0.058ohm, 2-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
P CH MOSFET, DUAL, AUTOMOTIVE, -30V, -4.; P CH MOSFET, DUAL, AUTOMOTIVE, -30V, -4.9A, SOIC-8; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id, P Channel:-4.9A; Drain Source Voltage Vds, P Channel:-30V; On Resistance Rds(on), P Channel:0.042ohm
Benefits: Advanced planar technology; Dynamic dV/dT rating; 175C operating temperature; Fast switching; Fully Avalanche Rated; Repetitive avalanche allowed up to Tjmax; Lead free, RoHS compliant; Automotive qualified
Nomes alternativos do fabricante
Infineon possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Infineon também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Infineon Technologies
- INF
- INFINEO
- INFINE
- INFIN
- INFINION
- INFI
- INFENION
- SIM
- INFIEON
- INFINEON TECH
- INFINEN
- IFX
- INFIENON
- IR/INFINEON
- INFINEON/IR
- IFT
- INFINEON/SIEMENS
- LNFINEON
- INFN
- Infineon Tech ICs
- INFINEON TECHNOLOGIE
- NFINEON
- INFINEON/Infineon
- INFINEON TECHNOLOGIES (ASIA
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance58 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-30 V
Element ConfigurationDual
Fall Time32 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance710 pF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
On-State Resistance58 mΩ
Package Quantity4000
PackagingTape & Reel
Power Dissipation2 W
Rds On Max58 mΩ
Rise Time13 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time34 ns
Turn-On Delay Time13 ns
Dimensions
Height1.75 mm
Length5 mm
Width4 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade