GoFord G33N03D3
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Production
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Tendência de 3 meses: -14.41%
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Fichas técnicas e documentos
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginChina
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541290000
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 10 months ago)
Manufacturer Lifecycle StatusACTIVE (Last Updated: 10 months ago)
Descrições
Descrições de GoFord G33N03D3 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 30V, 0.011ohm, 2-Element, N-Channel, Silicon, Trench Mosfet FET
30V 33A 20W 12m´Î@10V18A 1.1V@250Ã×A 2 N-Channel DFN3.3x3.3-8L MOSFETs ROHS
N-CH 30V 30A 13mOhm/MAX at 10V, 18mOhm/MAX at 4.5V, DFN3.3x3.3-8L
MOSFET N-CH 30V 28A DFN3*3-8L
9m¦¸ 33A PDFNWB-8
Nomes alternativos do fabricante
GoFord possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. GoFord também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Goford Semiconductor
- GOFORD SEMICONDUCTOR CO LTD
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Tendência de 3 meses: -14.41%
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Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Resistance11 mΩ
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation13 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
Fichas técnicas e documentos
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