GeneSiC Semiconductor MBRT200100
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.0080
Introduction Date2013-09-18
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusPRODUCTION (Last Updated: 5 years ago)
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GeneSiC SemiconductorMBR400100CT
100V 400A Twin Tower Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
Descrições
Descrições de GeneSiC Semiconductor MBRT200100 fornecidas pelos seus distribuidores.
100V 200A Three Tower Silicon Rectifier Module - Schottky (Standard Configuration)
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 2 Element, 100A, 100V V(RRM), Silicon
Schottky Diodes & Rectifiers SI PWR SCHOTTKY 3TWR 20-100V 200A100P/70R
Schottky Rectifier - 100 V - 200 A
DIODE MOD SCHOT 100V 100A 3TOWER
Schottky Rectifier, Common Cathode, 100V, 200A, 3-Tower; Repetitive Peak Reverse Voltage:100V; Average Forward Current:200A; Forward Voltage Max:880Mv; Diode Module Configuration:1 Pair Common Cathode; Diode Case Style:Three Tower Rohs Compliant: Yes |Genesic MBRT200100
Nomes alternativos do fabricante
GeneSiC Semiconductor possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. GeneSiC Semiconductor também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- GENESIC
- GENESIC SEMI
- GENESIC SEMICONDUCTOR INC
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageModule
MountChassis Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Average Rectified Current200 A
Element ConfigurationCommon Cathode
Forward Current200 A
Forward Voltage880 mV
Max Forward Surge Current (Ifsm)1.5 kA
Max Operating Temperature150 °C
Max Output Current100 A
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)100 V
Max Reverse Leakage Current1 µA
Max Reverse Voltage (DC)100 V
Max Surge Current1.5 kA
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingBulk
Peak Reverse Current1 mA
Reverse Standoff Voltage100 V
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