GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Harmonized Tariff Schedule (HTS) Code8541.10.00.80
Introduction Date2021-07-14
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 6 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusPRODUCTION (Last Updated: 6 years ago)
Descrições
Descrições de GeneSiC Semiconductor GD02MPS12E fornecidas pelos seus distribuidores.
Rectifier Diode, Schottky, 1 Phase, 1 Element, 7A, 1200V V(RRM), Silicon Carbide, TO-252
SIC SCHOTTKY DIODE, 1.2KV, 8A, TO-252; Available until stocks are exhausted
Diode Schottky SiC 1.2KV 7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
1200V 2A TO-252-2 SiC Schottky MPS™
DIODE SIL CARB 1.2KV 8A TO252-2
DIODE SIL CARB 1200V 8A TO2522
Nomes alternativos do fabricante
GeneSiC Semiconductor possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. GeneSiC Semiconductor também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- GENESIC
- GENESIC SEMI
- GENESIC SEMICONDUCTOR INC
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-2
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Current Rating2 A
Forward Voltage1.8 V
Max Forward Surge Current (Ifsm)16 A
Max Operating Temperature175 °C
Max Output Current7 A
Max Power Dissipation65 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Peak Reverse Current10 µA
Reverse Standoff Voltage1.2 kV
Schedule B8541100080
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