GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K
$ 14.998
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginUSA
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2021-05-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 years ago)
Manufacturer Lifecycle StatusPRODUCTION (Last Updated: 5 years ago)
Descrições
Descrições de GeneSiC Semiconductor G3R40MT12K fornecidas pelos seus distribuidores.
106nC@ 15 V 333W(Tc) 2.929nF@800V 48m¦¸@ 35A,15V 71A 1.2KV 2.69V@10mA 18V 1N TO-247-4
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 69A 4-Pin(4+Tab) TO-247
1200V 40mΩ TO-247-4 G3R™ SiC MOSFET
场效应管, MOSFET, SIC, N沟道, 1.2KV, 71A, 333W;
Power Field-Effect Transistor, 67A I(D), 1200V, 0.045ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon Carbide, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247
Sic Mosfet, N-Ch, 1.2Kv, 71A, 333W; Mosfet Module Configuration:Single; Channel Type:N Channel; Continuous Drain Current Id:71A; Drain Source Voltage Vds:1.2Kv; No. Of Pins:4Pins; Rds(On) Test Voltage:15V; Power Dissipation:333W Rohs Compliant: Yes |Genesic G3R40MT12K
Nomes alternativos do fabricante
GeneSiC Semiconductor possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. GeneSiC Semiconductor também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- GENESIC
- GENESIC SEMI
- GENESIC SEMICONDUCTOR INC
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -0.57%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-247-4
MountThrough Hole
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)67 A
Drain to Source Resistance45 mΩ
Max Operating Temperature175 °C
Max Power Dissipation281 W
Min Breakdown Voltage1.2 kV
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Fichas técnicas e documentos
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