GaN Systems GS61008T-MR
$ 4.51
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Arrow Electronics | GS61008T-MR | 0 | 250 | |||||||||
| Component Stockers USA | GS61008T-MR | 3.746 | >1wk | |||||||||
| XScomponents | GS61008T-MR | 0 | 3K | 2h |
Fichas técnicas e documentos
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Modelos CAD
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Descrições
Descrições de GaN Systems GS61008T-MR fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH GaN 100V 90A 4-Pin GaNPX T/R
RF Power Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Gallium Nitride, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Nomes alternativos do fabricante
GaN Systems possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. GaN Systems também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- GAN SYSTEMS INC
- GaNPower
- GaN Systems / Infineon
Especificações técnicas
Physical
Number of Terminals4
Technical
Continuous Drain Current (ID)90 A
Drain to Source Breakdown Voltage120 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Dimensions
Height621 µm
Fichas técnicas e documentos
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