Fuji 7MBR50SB120-50
Obsolete
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
Fichas técnicas e documentos
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Descrições
Descrições de Fuji 7MBR50SB120-50 fornecidas pelos seus distribuidores.
Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel
PIM 7PK IGBT MOD +I/P BR 50A 1200V NPT
PIM 7PK IGBT MOD +I/P BR 50A 1200V NPT; Transistor Polarity: N Channel; DC Collector Current: 75A; Collector Emitter Saturation Voltage Vce(on): 2.7V; Power Dissipation Pd: 360W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2kV; Tra
Igbt, 1.2Kv, 75A, Module; Continuous Collector Current:75A; Collector Emitter Saturation Voltage:2.1V; Power Dissipation:360W; Operating Temperature Max:150°C; Igbt Termination:Press Fit; Collector Emitter Voltage Max:1.2Kv Rohs Compliant: Yes |FUJI ELECTRIC 7MBR50SB-120-50
Nomes alternativos do fabricante
Fuji possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Fuji também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- FUJ
- FUJI ELECTRIC
- FUJIT
- FDK
- FUJI ELEC
- FUJI SEMI
- FME
- FUJI ELECT
- FUJI ELECTRONICS AME
- FUJI ELECTRI
- FUJI COM
- FJTSU
- FUJ-OKI
- FUJ/AMD
- FUJ/WDC
- FUJ/YE
- FUJI T&R
- FUJ/MO
- FUJI XERO
- FUJTSU
- Fuji Electric Corp of America
- Fuji/NEW
- Fuji Device Technology America
- FUJICORPORATION
- FUJIDENKI
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageModule
Number of Pins24
Number of Terminals24
Technical
Collector Emitter Breakdown Voltage1.2 kV
Collector Emitter Saturation Voltage2.7 V
Collector Emitter Voltage (VCEO)1.2 kV
Isolation Voltage2500 Vrms
Max Collector Current75 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation360 W
Number of Elements7
Power Dissipation360 W
Rise Time350 ns
Dimensions
Width122 mm
Fichas técnicas e documentos
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