onsemi SFP9Z24

Name: onsemi SFP9Z24
Brand: onsemi
SKU: SFP9Z24

Tube Through Hole P-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 9.7A Tc 49W Tc 60V -55C~175C TJ

$ 0.197

Obsolete

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Distributor		SKU		Min	Pkg
Rochester Electronics		SFP9Z24	1.489					0,238	0,197	0,176	11h
Win Source		WS-SFP9Z24	4.000	170					0,266	0,230	12h
Worldway Electronics		SFP9Z24	28.035	7	Tube		0,169	0,166	0,160	0,157	1d
Fly-Wing Technology		SFP9Z24	1.660			0,403	0,331	0,320	0,300	0,300	2d
QUARKTWIN TECHNOLOGY LTD	2	SFP9Z24	Contato								>1wk

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IHS

Datasheet7 páginas23 anos atrás

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Cadeia de suprimentos

Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99

Introduction Date1997-01-01

Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)

LTB Date2009-12-04

LTD Date2010-06-04

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Descrições

Descrições de onsemi SFP9Z24 fornecidas pelos seus distribuidores.

Tube Through Hole P-Channel MOSFET (Metal Oxide) Mosfet Transistor 9.7A Tc 49W Tc 60V -55C~175C TJ

Fly-Wing Technology

MOSFET P-CH 60V 9.7A TO220-3

DigiKey Marketplace

Power Field-Effect Transistor, 9.7A I(D), 60V, 0.28ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB

IHS

MOSFETs PCh/60V/9.7a/0.28Ohm

Mouser

Nomes alternativos do fabricante

onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:

ON Semiconductor
ONS
ONSEMICON
ON SEM
ON SEMICONDUCTO
ON SEMICONDUCTORS
ONSEMIC
ON Semicondu
OSC
ONSE
ON SEMICOND
ON Semiconductor / Fairchild
SCG
ON Semiconductor Cor
ON SEMICO
ONSM
ON SEMICONDUCTOR CORP
onsemi / Fairchild
MOT/ON SEMI
Fairchild/ONSemiconductor
ON Semiconductor Corporation
ON4
ON Semi - ON Semiconductor
ON SEMICONDUCT
ON-SEMI SCG
ON Semiconductor Inc.
onsemiconductor
On Semiconductor Ltd

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Especificações técnicas

Physical

Case/PackageTO-220-3

MountThrough Hole

Number of Terminals3

Technical

Continuous Drain Current (ID)9.7 A

Drain to Source Breakdown Voltage-60 V

Drain to Source Resistance280 mΩ

Drain to Source Voltage (Vdss)60 V

Element ConfigurationSingle

Fall Time20 ns

Gate to Source Voltage (Vgs)30 V

Input Capacitance600 pF

Max Operating Temperature175 °C

Max Power Dissipation49 W

Min Breakdown Voltage60 V

Min Operating Temperature-55 °C

Number of Elements1

Power Dissipation49 W

Rds On Max280 mΩ

Rise Time21 ns

Turn-Off Delay Time29 ns

Fichas técnicas e documentos

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IHS

Datasheet7 páginas23 anos atrás

Conformidade

Classificação ambiental

RoHSCompliant

Declarações de conformidade

Rohs Statement1 páginas13 anos atrás

Rohs Statement1 páginas14 anos atrás

Reach Statement2 páginas13 anos atrás

Reach Statement8 páginas11 anos atrás