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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada |
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Peças relacionadas
Descrições
Descrições de onsemi FDW262P fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET P-CH 20V 4.5A 8-Pin TSSOP T/R
20V P-CHANNEL POWERTRENCH MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor, 4.5A I(D), 20V, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET, P, TSSOP-8; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:P; Voltage, Vds Typ:-20V; Current, Id Cont:4.5A; Resistance, Rds On:0.047ohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:-4.5V; Voltage, Vgs th Typ:0.8V; Case Style:TSSOP; ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, P, TSSOP-8; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: 4.5A; Drain Source Voltage Vds: -20V; On Resistance Rds(on): 0.047ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -4.5V; Threshold Voltage Vgs: 800mV; Power Dissipation Pd: 1.3W; Transistor Case Style: TSSOP; No. of Pins: -; Operating Temperature Max: 150°C; Product Range: -; MSL: MSL 1 - Unlimited; SVHC: No SVHC (15-Jan-2018); Base Number: 2; Capacitance Ciss Typ: 1193pF; Current Id Max: -4.5A; No. of Transistors: 1; On State Resistance @ Vgs = 1.8V: 100mohm; On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 47mohm; Operating Temperature Min: -55°C; Operating Temperature Range: -55°C to +150°C; Pin Configuration: D(1+5+8), S(2+3+6+7), G(4); Pulse Current Idm: 40A; SMD Marking: 262P; Termination Type: Surface Mount Device; Voltage Vds Typ: -20V; Voltage Vgs Max: 8V; Voltage Vgs Rds on Measurement: -4.5V
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTSSOP
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.5 A
Current Rating-4.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage-20 V
Drain to Source Resistance47 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)-20 V
Dual Supply Voltage-20 V
Fall Time9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance1.193 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation600 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Nominal Vgs800 mV
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation600 mW
Rds On Max47 mΩ
Resistance100 mΩ
Rise Time9 ns
TerminationSMD/SMT
Turn-Off Delay Time36 ns
Turn-On Delay Time11 ns
Voltage Rating (DC)-20 V
Dimensions
Height1.2 mm
Length3 mm
Width4.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade