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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2001-08-30
Lifecycle StatusObsolete (Last Updated: 4 months ago)
LTB Date2010-06-03
LTD Date2010-12-03
Peças relacionadas
InfineonIRF7455PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 0.06Ohm;ID 15A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-12V;gFS 4
InfineonIRF8113TRPBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
InfineonIRF8113PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 30V;RDS(ON) 4.7Milliohms;ID 17.2A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Descrições
Descrições de onsemi FDS7064N7 fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 30V 16.5A 8-SOIC
30V/12V, 7MO, NCH, SINGLE, SO8 FLMP, 300A GOX, PTII
Power Field-Effect Transistor, 16.5A I(D), 30V, 0.007ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET; Transistor Type:MOSFET; Transistor Polarity:N Channel; Drain Source Voltage, Vds:30V; Continuous Drain Current, Id:16.5A; On Resistance, Rds(on):0.007ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:4.5V; Drain-Source Breakdown Voltage:-100V RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
onsemi possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. onsemi também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- ON Semiconductor
- ONS
- ONSEMICON
- ON SEM
- ON SEMICONDUCTO
- ON SEMICONDUCTORS
- ONSEMIC
- ON Semicondu
- OSC
- ONSE
- ON SEMICOND
- ON Semiconductor / Fairchild
- SCG
- ON Semiconductor Cor
- ON SEMICO
- ONSM
- ON SEMICONDUCTOR CORP
- onsemi / Fairchild
- MOT/ON SEMI
- Fairchild/ONSemiconductor
- ON Semiconductor Corporation
- ON4
- ON Semi - ON Semiconductor
- ON SEMICONDUCT
- ON-SEMI SCG
- ON Semiconductor Inc.
- onsemiconductor
- On Semiconductor Ltd
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)16.5 A
Current Rating16.5 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance7 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time26 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance3.355 nF
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.47 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3 W
Rds On Max7 mΩ
Rise Time13 ns
Turn-Off Delay Time54 ns
Turn-On Delay Time17 ns
Voltage Rating (DC)30 V
Dimensions
Height1.6 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
Lead FreeLead Free
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade