Diodes Inc. ZXTP25012EFHTA
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Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXTP25012EFHTA | 2.738 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | ZXTP25012EFHCT-ND | 14.537 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXTP25012EFHTA | 0 | 3K | 21h | ||||||||
| Future Electronics | ZXTP25012EFHTA | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZXTP25012EFHTA | 0 | 50 | Bulk | 14h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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 EE Concierge | SímboloPegada |
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ZXTP25020BFH Series 20 V 4 A Surface Mount PNP Medium Power Transistor - SOT23
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXTP25012EFHTA fornecidas pelos seus distribuidores.
Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ZXTP25012EFH Series PNP 12 V 4 A Medium Power Transistor SMT - SOT-23-3
Trans GP BJT PNP 12V 4A 1810mW 3-Pin SOT-23 T/R
Trans, Pnp, 12V, 4A, 150Deg C, 1.25W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTP25012EFHTA
210mV@ 400mA,4A PNP 1.81W 7V 50nA 12V 12V 4A SOT-23-3 1.12mm
50nA 12V 1.05W 100@4A,2V 4A 310MHz 160mV@4A,400mA PNP -55℃~+150℃@(Tj) SOT-23-3 Bipolar Transistors - BJT ROHS
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)12 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage-210 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Gain Bandwidth Product310 MHz
hFE Min50
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current4 A
Max Frequency310 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.81 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Transition Frequency310 MHz
Dimensions
Height1.02 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade