Diodes Inc. ZXTP2012ASTZ
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Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2005-06-03
Lifecycle StatusEOL (Last Updated: 1 week ago)
LTB Date2026-10-28
LTD Date2027-04-28
Peças relacionadas
onsemiKSB1366GTU
Transistor, bjt, pnp,60V V(Br)Ceo,3A I(C),to-220Ab(Fp) Rohs Compliant: Yes |Onsemi KSB1366GTU
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXTP2012ASTZ fornecidas pelos seus distribuidores.
ZXTP2012A Series PNP 60 V 1 A Medium Power Transistor Through Hole - TO-92-3
Small Signal Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3 / 60V PNP LOW SATURATION MEDIUM POWER TRANSISTOR IN E-LINE
210mV@ 400mA,4A PNP 1W 7V 20nA 100V 60V 3.5A TO-92 , 4.77mm*2.41mm*4.01mm
Bipolar Transistors - BJT PNP 60V 3.5A 3-PIN
Trans, Pnp, 60V, 3.5A, 150Deg C, 1W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTP2012ASTZ
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
MountThrough Hole
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage-210 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency120 MHz
Gain Bandwidth Product120 MHz
hFE Min10
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current3.5 A
Max Frequency120 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Power Dissipation1 W
Transition Frequency120 MHz
Dimensions
Height4.01 mm
Length4.77 mm
Width2.41 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade