Diodes Inc. ZXTP03200BZTA
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-11-10
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.2DB1188R-13
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
ROHM2SB1188T100Q
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SB1188T100R
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
ROHM2SB1188T100P
Power Bipolar Transistor, 2A I(C), 32V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXTP03200BZTA fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Transistor PNP Surface Mount SOT-89-3 1.1W 2A 200V
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 200V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Trans GP BJT PNP 200V 2A 38700mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Trans, Pnp, 200V, 2A, 150Deg C, 2.4W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTP03200BZTA
260mV@ 400mA,2A PNP 38.7W 7V 50nA 220V 200V 2A SOT-89-3
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals3
Weight130.492855 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)220 V
Collector Emitter Breakdown Voltage200 V
Collector Emitter Saturation Voltage260 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)200 V
Continuous Collector Current2 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Gain Bandwidth Product105 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage200 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation38.7 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityPNP
Transition Frequency105 MHz
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade