Diodes Inc. ZXTN620MATA
$ 0.303
Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | ZXTN620MATA | 0 | 1 | 13h | ||||||||
| Newark | ZXTN620MATA | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | ZXTN620MATA | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | ZXTN620MATA | 0 | 3K | 1d | ||||||||
| Arrow Electronics | ZXTN620MATA | 0 | 3K |
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Fichas técnicas e documentos
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 50 V, 4 A, 1.5 W, UDFN2020, Surface Mount
Diodes Inc.ZXTP722MATA
TRANS PNP 70V 2.5A DFN2020B-3 / Bipolar (BJT) Transistor PNP 70 V 2.5 A 180MHz 3 W Surface Mount DFN2020B-3
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXTN620MATA fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 80 V, 3.5 A, 2.45 W, DFN2020, Surface Mount
Small Signal Bipolar Transistor, 3.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
NPN 80 V 3.5 A 1.5 W Surface Mount Low Saturation Transistor - DFN-3
325mV@ 300mA,3.5A NPN 2.45W 7V 25nA 100V 80V 3.5A DFN-2020B-3 2mm*2mm*600¦Ìm
TRANSISTOR NPN ZXTN620MA-TRANSISTOR BJT-
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -100%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDFN EP
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)100 V
Collector Emitter Breakdown Voltage80 V
Collector Emitter Saturation Voltage340 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)80 V
Continuous Collector Current3.5 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency160 MHz
Gain Bandwidth Product160 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage80 V
Max Collector Current3.5 A
Max Frequency160 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation2.45 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency160 MHz
Dimensions
Height580 µm
Length2.08 mm
Width2.075 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade