Diodes Inc. ZXTN25012EFLTA
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Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZXTN25012EFLTA | 42.000 | 3K | 4d | ||||||||
| Newark | ZXTN25012EFLTA | 1.495 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | ZXTN25012EFLTA | 42.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | ZXTN25012EFLTA | 3.000 | 372 | |||||||||
| DigiKey | ZXTN25012EFLCT-ND | 4.356 | 1 | Cut Tape |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2007-01-05
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.ZXTN25015DFHTA
Single Bipolar Transistor, NPN, 30 V, 5 A, 1.81 W, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXTN25012EFLTA fornecidas pelos seus distribuidores.
Single Bipolar Transistor, NPN, 12 V, 2 A, 350 mW, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
ZXTN25012EFL Series 12 V 2 A NPN SMT Low Power Transistor - SOT-23
Small Signal Bipolar Transistor, 2A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
General Purpose Transistors NPN Ic=2A Vceo=12V hfe=500~1500 P=350mW SOT23
Trans GP BJT NPN 12V 2A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
TRANSISTOR, NPN, SOT-23; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:12V; Power Dissipation Pd:350mW; DC Collector Current:5A; DC Current Gain hFE:800; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-23; No. of Pins:3; SVHC:No SVHC (15-Dec-2010); Collector Emitter Voltage Vces:130mV; Continuous Collector Current Ic Max:2A; Current Ib:500mA; Current Ic Continuous a Max:5A; Current Ic hFE:2A; Gain Bandwidth ft Typ:260MHz; Hfe Min:370; Package / Case:SOT-23; Power Dissipation Pd:350mW; Power Dissipation Ptot Max:350mW; Termination Type:SMD; Turn Off Time:72ns; Turn On Time:70ns; Voltage Vcbo:20V
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage300 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency260 MHz
Gain Bandwidth Product260 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current2 A
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation350 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation350 mW
Schedule B8541210080
Transition Frequency260 MHz
Dimensions
Height1.02 mm
Length3.04 mm
Width1.4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade