Diodes Inc. ZXTN07012EFFTA
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Production
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZXTN07012EFFTA | 9.000 | 3K | 2d | ||||||||
| Newark | ZXTN07012EFFTA | 2.735 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | ZXTN07012EFFTA | 9.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | ZXTN07012EFFCT-ND | 1.094 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXTN07012EFFTA | 0 | 3K | 21h |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2006-09-11
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.ZXTN07045EFFTA
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onsemiFJV3113RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiFJV3114RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
onsemiFJV3104RMTF
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXTN07012EFFTA fornecidas pelos seus distribuidores.
ZXTN07012EFF Series NPN 12 V 4.5 A High Gain Power Transistor SMT - SOT-23F
Power Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 12V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Trans GP BJT NPN 12V 4.5A 2000mW 3-Pin SOT-23F T/R
Trans, Npn, 12V, 4.5A, 150Deg C, 1.5W Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. ZXTN07012EFFTA
320mV@ 45mA,4.5A NPN 2W 7V 50nA 20V 12V 4.5A SOT-23F 1mm
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-3
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)20 V
Collector Emitter Breakdown Voltage12 V
Collector Emitter Saturation Voltage320 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)12 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)7 V
Frequency220 MHz
Gain Bandwidth Product220 MHz
hFE Min140
Max Breakdown Voltage12 V
Max Collector Current4.5 A
Max Frequency220 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation2 W
Transition Frequency220 MHz
Dimensions
Height1 mm
Length3 mm
Width1.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade