Diodes Inc. ZXTD4591E6TA
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Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXTD4591E6TA fornecidas pelos seus distribuidores.
ZXTD4591E6 Series 60 V 1 A Dual NPN/PNP Silicon Medium Power Transistor SOT-23-6
Trans GP BJT NPN/PNP 60V 1A 1700mW 6-Pin SOT-23 T/R
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 60V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
General Purpose Transistors NPN,PNP Ic=1A Vceo=60V hfe=100~300 P=1.7W SOT23-6
DIODES INC. - ZXTD4591E6TA - Bipolar Transistor Array, Dual, NPN, PNP, 60 V, 1.1 W, 1 A, 100 hFE, SOT-23
60V 1.1W 100@500mA,5V 1A 1PCSNPN&1PCSPNP SOT-23-6 Bipolar Transistors - BJT ROHS
BIPOLAR TRANS, NPN/PNP, 60V, SOT-23;
DiodesZetex NPN/PNP, SOT-23, , 1 A, -60 V
TRANSISTOR,NPNPNP,DUAL,60V,SOT23-6; Transistor Polarity:NPN, PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:60V; Power Dissipation Pd:1.1W; DC Collector Current:1A; DC Current Gain hFE:100hFE; Transistor Case Style:SOT-23; No.
Transistor, npn/Pnp, dual,60V, sot23-6; Transistor, Polaridad:Npn, Pnp; Tensión Colector Emisor V(Br)Ceo:60V; Disipación De Potencia Pd:1.1W; Corriente De Colector Dc:1A; Ganancia De Corriente Dc Hfe:100; Núm. De Contactos:6 |Diodes Inc. ZXTD4591E6TA
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Weight14.996898 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)80 V
Collector Emitter Breakdown Voltage60 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)60 V
Current Rating1 A
Element ConfigurationDual
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min15
Max Breakdown Voltage60 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency150 MHz
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.7 W
Manufacturer Package IdentifierSOT26 (SC74R)
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements2
PackagingCut Tape
PolarityNPN, PNP
Power Dissipation1.1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Dimensions
Height1.4 mm
Length3 mm
Width1.75 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade