Diodes Inc. ZXMP6A13GTA
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Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMP6A13GTA | 1.066 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | ZXMP6A13GTA | 1.000 | 1K | |||||||||
| Arrow Electronics | ZXMP6A13GTA | 2.000 | 236 | |||||||||
| TME | ZXMP6A13GTA | 41 | 1 | 2h | ||||||||
| DigiKey | ZXMP6A13GCT-ND | 345 | 1 | Cut Tape |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2002-03-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonBSP170PL6327HTSA1
MOSFET P-CH 60V 1.9A SOT223-4 / P-Channel 60 V 1.9A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
InfineonBSP295H6327XTSA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 1.8 A, 300 Milliohms, SOT-223, 4 Pins, Surface Mount
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXMP6A13GTA fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, Enhancement Mode, P Channel, 60 V, 1.7 A, 0.39 ohm, SOT-223, Surface Mount
ZXMP6A13G Series 60 V 390 mOhm P-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-223
MOSFET Operating temperature: -55...150 °C Housing type: SOT-223 Polarity: P Variants: Enhancement mode Power dissipation: 2 W
MOSFET, P CH, 60V, 1.7A, SOT223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous Drain Current Id:-1.7A; Drain Source Voltage Vds:-60V; On Resistance Rds(on):0.39ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:-10V; Threshold Voltage Vgs:-1V; P
Mosfet, P Channel, 60V, 1.7A, Sot223; Transistor, Polaridad:Canal P; Intensidad Drenador Continua Id:-1.7A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:-60V; Resistencia De Activación Rds(On):0.39Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):-10V |Diodes Inc. ZXMP6A13GTA
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Current Rating-2.3 A
Drain to Source Breakdown Voltage-60 V
Drain to Source Resistance390 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time5.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance219 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Rds On Max390 mΩ
Resistance390 mΩ
Rise Time2.2 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage-1 V
Turn-Off Delay Time11.2 ns
Turn-On Delay Time1.6 ns
Voltage Rating (DC)-60 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade