Diodes Inc. ZXMN6A09GTA
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Production
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | ZXMN6A09GTA | 1.201 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | ZXMN6A09GCT-ND | 238 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | ZXMN6A09GTA | 599 | 1 | 23h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | ZXMN6A09GTA | 0 | 5 | Bulk | 17h | |||||||
| Avnet | ZXMN6A09GTA | 0 | 1K | 2d |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2004-01-26
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.ZXMP6A17GTA
MOSFET, P CH, W/DIO, 60V, 3A, SOT223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXMN6A09GTA fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, Low Voltage, N Channel, 60 V, 6.9 A, 0.045 ohm, SOT-223, Surface Mount
N-Channel 60 V 0.04 Ohm Enhancement Mode Mosfet - SOT-223
N CHANNEL MOSFET, 60V, 6.9A SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current, Id:6.9A; Drain Source Voltage, Vds:60V; On Resistance, Rds(on):0.045ohm; Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V; Threshold Voltage, Vgs Typ:3V ;RoHS Compliant: Yes
MOSFET, N, SOT-223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:6.9A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):45mohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs Typ:1V; Power Dissipation Pd:3.9W; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-223; No. of Pins:4; SVHC:No SVHC (20-Jun-2011); Current Id Max:7.5A; Current Temperature:25°C; Junction Temperature Tj Max:150°C; Junction Temperature Tj Min:-55°C; No. of Transistors:1; On State Resistance Max:45mohm; Package / Case:SOT-223; Power Dissipation Pd:2W; Power Dissipation Pd:3.9W; Power Dissipation Ptot Max:2W; Pulse Current Idm:30.6A; SMD Marking:ZXMN6A09; Termination Type:SMD; Voltage Vds Typ:60V; Voltage Vgs Max:20V; Voltage Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage Vgs th Min:1V
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
MountSurface Mount
Number of Pins4
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)5.4 A
Current Rating6.8 A
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.407 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation2 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingCut Tape
Power Dissipation3.9 W
Rds On Max40 mΩ
Resistance40 mΩ
Rise Time5 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time25.3 ns
Turn-On Delay Time4.9 ns
Voltage Rating (DC)60 V
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade