Diodes Inc. ZXMN2088DE6TA
$ 0.387
NRND
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZXMN2088DE6TA | 9.000 | 3K | 1d | ||||||||
| TME | ZXMN2088DE6T-DIO-0 | 3.000 | 3K | 12h | ||||||||
| Future Electronics | ZXMN2088DE6TA | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | ZXMN2088DE6TA | 0 | 3K | |||||||||
| Win Source | WS-ZXMN2088DE6TA | 202.200 | 135 | 23h |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-09-12
Lifecycle StatusNRND (Last Updated: 4 months ago)
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXMN2088DE6TA fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET 2N-CH 20V 1.7A SOT-26 / Trans MOSFET N-CH 20V 1.7A 6-Pin SOT-23 T/R
1.3W 8V 1V@ 250¦ÌA 3.8nC@ 4.5V 2N 20V 200m¦¸@ 1A,4.5V 1.7A 279pF@10V SOT-23-6
MOSFET Array, Dual N Channel, 20 V, 2.1 A, 200 Milliohms, SOT-26, 6 Pins
MOSFET 20V DUAL SOT23-6 20V VBR MOSFET
Small Signal Field-Effect Transistor, 1.7A I(D), 20V, 2-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
20V, 2.1A, 200MOMH, DUAL N-CHANNEL, SOT26
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-23-6
MountSurface Mount
Number of Pins6
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)1.7 A
Drain to Source Resistance200 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time6.2 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)8 V
Input Capacitance279 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels2
Number of Elements2
Rds On Max200 mΩ
Rise Time3.2 ns
Turn-Off Delay Time12.7 ns
Turn-On Delay Time2 ns
Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade