Diodes Inc. ZXMHC3F381N8TC
$ 0.529
Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | ZXMHC3F381N8TC | 22.500 | 2500 | 5d | ||||||||
| Newark | ZXMHC3F381N8TC | 1.261 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | ZXMHC3F381N8TC | 20.000 | 2500 | |||||||||
| Arrow Electronics | ZXMHC3F381N8TC | 4 | 1 | |||||||||
| DigiKey | ZXMHC3F381N8DICT-ND | 69.897 | 1 | Cut Tape |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-05-20
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIRF7306TRPBF
MOSFET, Power;Dual P-Ch;VDSS -30V;RDS(ON) 0.1Ohm;ID -3.6A;SO-8;PD 2W;VGS +/-20V
STMicroelectronicsSTS4DPF30L
Dual Mosfet, Dual P Channel, -4 A, -30 V, 0.07 Ohm, 10 V, 1 V Rohs Compliant: Yes
Diodes Inc.ZXMC3A16DN8TC
Dual N & P Channel 30 V 6.4 A 2.1 W Surface Mount Complementary Mosfet - SOIC-8
Descrições
Descrições de Diodes Inc. ZXMHC3F381N8TC fornecidas pelos seus distribuidores.
ZXMHC3 Series 30 V 33 mOhm 2N/2P-Ch. H-Bridge Enhancement Mode MOSFET - SOIC-8
MOSFET, COMP, H-BRIDE, 30V, SO8; Transistor Polarity:N and P Channel; Continuous Drain Current Id:3.98A; Source Voltage Vds:30V; On Resistance
Small Signal Field-Effect Transistor, 3.98A I(D), 30V, 4-Element, N-Channel and P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Mosfet, Comp, H-Bride, 30V, So8; Transistor, Polaridad:Canal N Y P; Intensidad Drenador Continua Id:3.98A; Tensión Drenaje-Fuente Vds:30V; Resistencia De Activación Rds(On):0.033Ohm; Tensión Vgs De Medición Rds(On):10V |Diodes Inc. ZXMHC3F381N8TC
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)3.98 A
Drain to Source Breakdown Voltage-30 V
Drain to Source Resistance33 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time21 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance430 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.35 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels4
Number of Elements4
PackagingCut Tape
Power Dissipation1.35 W
Rds On Max33 mΩ
Resistance55 mΩ
Rise Time3 ns
Schedule B8541290080
Threshold Voltage1 V
Turn-Off Delay Time30 ns
Turn-On Delay Time1.9 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length5 mm
Width4 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade