Diodes Inc. MMST5551-7-F
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Production
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | MMST5551-7-F | 1.312 | 1 | 2h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | MMST5551-7-F | 0 | 50 | Bulk | 20h | |||||||
| Future Electronics | MMST5551-7-F | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | MMST5551-7-F | 0 | 3K | 5h | ||||||||
| Arrow Electronics | MMST5551-7-F | 0 | 3K |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Descrições
Descrições de Diodes Inc. MMST5551-7-F fornecidas pelos seus distribuidores.
MMST5551 Series NPN 160 V 200 mW Small Signal Transistor SMT - SOT-323-3
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TRANSISTOR, NPN, SOT323; Transistor Polarity: NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 160V; Transition Frequency ft: 300MHz; Power Dissipation Pd: 200mW; DC Collector Current: 200mA; DC Current Gain hFE: 80hFE; Transistor Cas
TRANSISTOR, NPN, SOT323; Transistor Polarity:NPN; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:160V; Gain Bandwidth ft Typ:300MHz; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; Transistor Case Style:SOT-323; SVHC:No SVHC (18-Jun-2010); ;RoHS Compliant: Yes
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-323
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight6.010099 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)180 V
Collector Emitter Breakdown Voltage160 V
Collector Emitter Saturation Voltage200 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)160 V
Current Rating200 mA
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)6 V
Frequency300 MHz
Gain Bandwidth Product300 MHz
hFE Min30
Max Breakdown Voltage160 V
Max Collector Current200 mA
Max Frequency300 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingCut Tape
PolarityNPN
Power Dissipation200 mW
Schedule B8541210080
TerminationSMD/SMT
Transition Frequency100 MHz
Voltage Rating (DC)160 V
Dimensions
Height1 mm
Length2.2 mm
Width1.35 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade