Diodes Inc. FCX493TA
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date1996-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
ROHM2SD1898T100Q
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
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Descrições
Descrições de Diodes Inc. FCX493TA fornecidas pelos seus distribuidores.
Bipolar (BJT) Single Transistor, NPN, 100 V, 1 A, 1 W, SOT-89, Surface Mount
FCX493 Series NPN 1 A 100 V SMT Silicon Medium Power Transistor - SOT-89-3
Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 100V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Bipolar Transistors (BJT); FCX493TA; DIODES; NPN; 3; 100 V; 1 A
Trans GP BJT NPN 100V 1A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R
Transistor Polarity:Npn; Collector Emitter Voltage Max:100V; Continuous Collector Current:1A; Power Dissipation:1W; Transistor Mounting:Surface Mount; No. Of Pins:3Pins; Transition Frequency:150Mhz; Dc Current Gain Hfe Min:100Hfe Rohs Compliant: No |Diodes Inc. FCX493TA.
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -95.84%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-89
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Weight51.993025 mg
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)120 V
Collector Emitter Breakdown Voltage100 V
Collector Emitter Saturation Voltage600 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)100 V
Continuous Collector Current1 A
Current Rating1 A
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)5 V
Frequency150 MHz
Gain Bandwidth Product150 MHz
hFE Min20
Max Breakdown Voltage100 V
Max Collector Current1 A
Max Frequency150 MHz
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1 W
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Elements1
PolarityNPN
Power Dissipation1 W
Schedule B8541290080
Transition Frequency150 MHz
Voltage Rating (DC)100 V
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.5 mm
Width2.5 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade