Diodes Inc. DP0150BLP4-7
$ 0.186
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DP0150BLP4-7 | 255.000 | 3K | 14h | ||||||||
| Verical | DP0150BLP4-7 | 255.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | DP0150BLP4-7DICT-ND | 6.266 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DP0150BLP4-7 | 0 | 1 | 4h | ||||||||
| Future Electronics | DP0150BLP4-7 | 0 | 3K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 EE Concierge | SímboloPegada |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2009-01-28
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.2DC4617QLP-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
Diodes Inc.BC857BLP4-7
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Diodes Inc.2DA1774QLP-7B
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 40V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DP0150BLP4-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
DN0150 Series 50 V 100 mA 450 mW NPN Small Signal Transistor - DFN1006
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
Bipolar Transistors - BJT PNP 50V 0.1A 3-PIN SMT
Trans GP BJT PNP 50V 0.1A 1000mW 3-Pin DFN-H4 T/R
300mV@ 10mA,100mA NPN 1W 5V 100nA 50V 50V 100mA DFN 1mm*600¦Ìm*350¦Ìm
Dual PNP, 50V, 0.1A, SOT963,80MHz
Diodes Inc SCT
TRANS PNP 50V 0.1A X2-DFN1006-3
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Collector Base Voltage (VCBO)-50 V
Collector Emitter Breakdown Voltage-50 V
Collector Emitter Saturation Voltage-150 mV
Collector Emitter Voltage (VCEO)50 V
Element ConfigurationSingle
Emitter Base Voltage (VEBO)-5 V
Gain Bandwidth Product80 MHz
hFE Min200
Max Breakdown Voltage50 V
Max Collector Current100 mA
Max Junction Temperature (Tj)150 °C
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation450 mW
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
PolarityPNP
Power Dissipation400 mW
Transition Frequency80 MHz
Dimensions
Height400 µm
Length1 mm
Width600 µm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade