Diodes Inc. DMT6016LFDF-7
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Production
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMT6016LFDF-7 | 20 | 1 | Bulk | 15h | |||||||
| TME | DMT6016LFDF-7 | 0 | 3K | 22h | ||||||||
| Newark | DMT6016LFDF-7 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMT6016LFDF-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMT6016LFDF-7 | 0 | 3K | 1d |
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 SnapEDA | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2014-08-12
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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onsemiNTD3055-150T4
Tape & Reel (TR) Surface Mount N-Channel Single Mosfet Transistor 9A Ta 9A 28.8W 23ns
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMT6016LFDF-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 60V, 8.9A, Udfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT6016LFDF-7
Trans MOSFET N-CH 60V 8.9A Automotive 6-Pin UDFN EP T/R
Single N-Channel 60 V 0.82 W 17 nC Silicon Surface Mount Mosfet - UDFN-6
N-CHANNEL MOSFET, 60 V, 0.6 MM PROFILE, 0.007 G
60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 8.9A I(D), 60V, 0.016ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 8.9A, UDFN2020;
DiodesZetex NMOS, Vds=60 V, 11.1 A, U-DFN2020, , 6
XSTR MOSFET N-CHANNEL 60V 8.9A DFN-
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Terminals6
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.9 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance16 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time6.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance864 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.9 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max16 mΩ
Resistance16 mΩ
Rise Time5.2 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time12.9 ns
Turn-On Delay Time3.4 ns
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