Diodes Inc. DMT6009LCT
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-05-04
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 5 months ago)
Peças relacionadas
InfineonIPP45N06S409AKSA2
60V, N-Ch, 9.1 mΩ max, Automotive MOSFET, TO-220, OptiMOS™-T2, PG-TO220-3, RoHS
InfineonIRFIZ24EPBF
60V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-220 FullPak (Iso) package
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMT6009LCT fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 37.2 A, 12 Milliohms, TO-220AB, 3 Pins, Through Hole
Trans MOSFET N-CH 60V 37.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
MOSFET N-CHA 60V 37.2A TO220AB / 60V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET
Power Field-Effect Transistor, 37.2A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -21.10%
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-220-3
MountThrough Hole
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)37.2 A
Drain to Source Resistance12 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Input Capacitance1.925 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation25 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max12 mΩ
Schedule B8541290080
Fichas técnicas e documentos
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