Diodes Inc. DMT3004LPS-13
$ 0.473
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DigiKey | DMT3004LPS-13DICT-ND | 1.540 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMT3004LPS-13 | 0 | 2500 | 8h | ||||||||
| Avnet | DMT3004LPS-13 | 0 | 2500 | 3d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMT3004LPS-13 | 0 | 2500 | |||||||||
| Win Source | WS-DMT3004LPS-13 | 20 | 45 | 11h |
Histórico de estoque
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Modelos CAD
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0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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onsemiNVMFS4C05NT3G
Power Field-Effect Transistor, 116A I(D), 1-Element, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMT3004LPS-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
Trans MOSFET N-CH 30V 21A 8-Pin PowerDI 5060 T/R
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI5060-8 T&R 2.5K
Power Field-Effect Transistor, 140A I(D), 30V, 0.0038ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
2.7W(Ta),113W(Tc) 20V,16V 3V@ 250¦ÌA 43.7nC@ 10 V 1N 30V 3.8m¦¸@ 20A,10V 21A,140A 2.37nF@15V PDI-50608
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)140 A
Drain to Source Resistance3.8 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Input Capacitance2.37 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation113 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max3.8 mΩ
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