Diodes Inc. DMT10H015LSS-13
$ 0.54
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMT10H015LSS-13 | 2.260 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMT10H015LSS-13 | 2.500 | 2500 | |||||||||
| Verical | DMT10H015LSS-13 | 2.500 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | DMT10H015LSS-13DICT-ND | 3.724 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMT10H015LSS-13 | 0 | 2500 | 23h |
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +15.43%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Diodes Inc. DMT10H015LSS-13.
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e os modelos 3D STEP de Diodes Inc. DMT10H015LSS-13 direto dos nossos confiáveis parceiros.
| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
O site do parceiro será aberto em uma nova aba ao baixar os seus modelos CAD
Ao baixar os modelos CAD do Octopart, você concorda com nossos Termos e Condições e Política de Privacidade.
Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2016-06-01
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMT10H014LSS-13
1.2W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 33.3nC@ 10 V 1N 100V 15m¦¸@ 20A,10V 8.9A 1.871nF@50V SOIC-8
InfineonIRF7493PBF
MOSFET, Power;N-Ch;VDSS 80V;RDS(ON) 11.5 Milliohms;ID 9.3A;SO-8;PD 2.5W;VGS +/-2
Diodes Inc.DMT8012LSS-13
1.5W(Ta) 20V 3V@ 250¦ÌA 34nC@ 10 V 1N 80V 16.5m¦¸@ 12A,10V 9.7A 1.949nF@40V SOIC-8
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMT10H015LSS-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 100V, 8.3A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMT10H015LSS-13
Trans MOSFET N-CH 100V 8.3A 8-Pin SOIC T/R
100V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 100 V, RoHS
Diodes Inc SCT
1.2W(Ta) 20V 3.5V@ 250¦ÌA 33.3nC@ 10 V 1N 100V 16m¦¸@ 20A,10V 8.3A 1.871nF@50V SOIC-8 4.9mm*3.9mm*1.45mm
Power Field-Effect Transistor, 8.3A I(D), 100V, 0.018ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET BVDSS 61V100V SO-8 TR 2.5K
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +15.43%
Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Technical
Continuous Drain Current (ID)8.3 A
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)100 V
Input Capacitance1.871 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.67 W
Min Breakdown Voltage100 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max16 mΩ
Schedule B8541290080
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Diodes Inc. DMT10H015LSS-13.