Diodes Inc. DMP4015SSS-13
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMP4015SSS-13 | 790 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMP4015SSS-13 | 0 | 2500 | 15h | ||||||||
| Future Electronics | DMP4015SSS-13 | 0 | 2500 | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMP4015SSS-13 | 0 | 2500 | 19h | ||||||||
| Arrow Electronics | DMP4015SSS-13 | 0 | 2500 |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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VishaySI4890BDY-T1-GE3
Si4890BDY Series N-Channel 30 V 12 mOhms Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMP4015SSS-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 9.1 A, 0.011 ohm, SOIC, Surface Mount
Mosfet Bvdss: 31V-40V So-8 T&r 2.5K Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP4015SSS-13
Single P-Channel 40 V 15 mOhm 47.5 nC 1.45 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
MOSFET, P-CH, -40V, -9.1A, SOIC; Transistor Polarity: P Channel; Continuous Drain Current Id: -9.1A; Drain Source Voltage Vds: -40V; On Resistance Rds(on): 0.007ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs: -10V; Threshold Voltage Vgs: -2V;
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSO
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)7.8 A
Drain to Source Breakdown Voltage-40 V
Drain to Source Resistance11 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Fall Time137.9 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance4.234 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.82 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max11 mΩ
Rise Time10 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time302.7 ns
Turn-On Delay Time13.2 ns
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade