Diodes Inc. DMN6068SE-13
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Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN6068SE-13 | 4.000 | 1 | 2d | ||||||||
| Newark | DMN6068SE-13 | 29 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Verical | DMN6068SE-13 | 40.000 | 4K | |||||||||
| Arrow Electronics | DMN6068SE-13 | 52.000 | 4K | |||||||||
| Future Electronics | DMN6068SE-13 | 4.000 | 4K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Peças relacionadas
Diodes Inc.ZXMP6A17GTA
MOSFET, P CH, W/DIO, 60V, 3A, SOT223; Transistor Polarity:P Channel; Continuous
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN6068SE-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 60 V 68 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - SOT-223-3
Power Field-Effect Transistor, 4.1A I(D), 60V, 0.068ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-261AA
MOSFET, N-CH, 60V, 4.1A, SOT223; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:4.1A; Drain Source Voltage Vds:60V; On Resistance Rds(on):0.068ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Threshold Voltage Vgs:3V; Powe
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: +17.02%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOT-223
Contact PlatingTin
MountSurface Mount
Number of Terminals4
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.1 A
Drain to Source Breakdown Voltage60 V
Drain to Source Resistance68 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)60 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.7 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance502 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation3.7 W
Min Breakdown Voltage60 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Power Dissipation3.7 W
Rds On Max68 mΩ
Resistance68 mΩ
Rise Time10.8 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time11.9 ns
Turn-On Delay Time3.6 ns
Dimensions
Height1.65 mm
Length6.7 mm
Width3.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSNon-Compliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCNo
RoHSCompliant
Declarações de conformidade