Diodes Inc. DMN53D0U-7
$ 0.087
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN53D0U-7 | 10 | 1 | Bulk | 20h | |||||||
| TME | DMN53D0U-7 | 0 | 1 | 6h | ||||||||
| Newark | DMN53D0U-7 | 0 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMN53D0U-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Avnet | DMN53D0U-7 | 0 | 3K | 10h |
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Modelos CAD
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Peças alternativas
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
 Ultra Librarian | SímboloPegada | Baixar |
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DMN Series 60 V 2 Ohm 540 mW SMT N-Channel Enhancement Mode Mosfet - SOT-23
InfineonBSS138NH6433XTMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 230 mA, 3.5 Ohm, SOT-23, 3 Pins, Surface Mount
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN53D0U-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
TRANSISTOR, DUAL N-CHANNEL, ENHANCEMENT MODE, 50V, 0.3A, MOSFET, SOT-23
Power MOSFET, N Channel, 50 V, 300 mA, 2 ohm, SOT-23, Surface Mount
Mosfet, N-Ch, 50V, 0.3A, Sot-23 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN53D0U-7
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -96.96%
Modelos CAD
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Peças alternativas
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Capacitance50 pF
Continuous Drain Current (ID)300 mA
Drain to Source Breakdown Voltage50 V
Drain to Source Resistance3 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)50 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance37.1 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation520 mW
Min Breakdown Voltage50 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max2 Ω
Rise Time2.8 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time21 ns
Turn-On Delay Time2.1 ns
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