Diodes Inc. DMN4800LSSL-13
$ 0.216
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN4800LSSL-13 | 3.390 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN4800LSSL-13DICT-ND | 3.551 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN4800LSSL-13 | 0 | 1 | 15h | ||||||||
| Avnet | DMN4800LSSL-13 | 0 | 2500 | 5h | ||||||||
| RS (Formerly Allied Electronics) | DMN4800LSSL-13 | 0 | 50 | Bulk | 19h |
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Peças alternativas
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2011-10-07
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMN4468LSS-13
1.52W(Ta) 20V 1.95V@ 250¦ÌA 18.85nC@ 10 V 1N 30V 14m¦¸@ 11.6A,10V 10A 867pF@10V SOIC-8 1.5mm
onsemiNTMS4706NR2G
Power MOSFET 30 V, 10.3 A, Single N-Channel, SO-8 - for new designs use (NTMS4816N)
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN4800LSSL-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 30 V 20 mOhm 8.7 nC 1.46 W Silicon SMT Mosfet - SOIC-8
Mosfet, N-Ch, 30V, 8A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN4800LSSL-13
Trans MOSFET N-CH 30V 8A Automotive 8-Pin SO T/R
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 30V, 0.014ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
DiodesZetex NMOS, Vds=30 V, 8 A, SOIC, , 8
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight73.992255 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)6.7 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance14 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time8.55 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance798 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.46 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Rds On Max14 mΩ
Rise Time4.5 ns
Turn-Off Delay Time26.33 ns
Turn-On Delay Time5.03 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade