Diodes Inc. DMN4026SK3-13
$ 0.284
Production
Preço e estoque
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Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN4026SK3-13 | 8 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN4026SK3-13DICT-ND | 1.016 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN4026SK3-13 | 0 | 1 | 1h | ||||||||
| Avnet | DMN4026SK3-13 | 0 | 2500 | 4d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN4026SK3-13 | 0 | 2500 |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Mosfet, P-Ch, 40V, 20A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP4047SK3-13
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN4026SK3-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
MOSFET N-CH 40V 28A TO252 / N-Channel 40 V 28A (Tc) 1.6W (Ta) Surface Mount TO-252-3
Mosfet, N-Ch, 40V, 28A, To-252 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN4026SK3-13
Trans MOSFET N-CH 40V 28A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
DUAL N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET 40V N-Ch Enh FET 20Vgss 1.6W 1181pF
Small Signal Field-Effect Transistor, 28A I(D), 40V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
DiodesZetex NMOS, Vds=40 V, 28 A, DPAK (TO-252), , 3
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-252-3
MountSurface Mount
Number of Terminals2
Technical
Continuous Drain Current (ID)28 A
Drain to Source Resistance24 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)40 V
Input Capacitance1.181 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.6 W
Min Breakdown Voltage40 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Elements1
Rds On Max24 mΩ
Fichas técnicas e documentos
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