Diodes Inc. DMN3070SSN-7
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| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN3070SSN-7 | 1.014 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Future Electronics | DMN3070SSN-7 | 9.000 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Verical | DMN3070SSN-7 | 6.000 | 3K | |||||||||
| Arrow Electronics | DMN3070SSN-7 | 12.000 | 3K | |||||||||
| DigiKey | DMN3070SSN-7DICT-ND | 31 | 1 | Cut Tape |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
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Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN3070SSN-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 30 V 50 mOhm 6 nC 0.78 W Silicon Surface Mount Mosfet - SOT-23
Mosfet, N-Ch, 30V, 4.2A, Sc-59 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3070SSN-7
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N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 20±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 4.2A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Trans MOSFET N-CH 30V 4.2A 3-Pin SC-59 T/R
DiodesZetex NMOS, Vds=30 V, 5.1 A, SOT-346, , 3
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageTO-236-3
MountSurface Mount
Number of Pins59
Number of Terminals3
Weight7.994566 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)4.2 A
Drain to Source Resistance40 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Element ConfigurationSingle
Fall Time4.1 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance697 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.3 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max40 mΩ
Rise Time20.1 ns
Schedule B8541290080
Turn-Off Delay Time4.4 ns
Turn-On Delay Time4.3 ns
Dimensions
Height1.3 mm
Length3.1 mm
Width1.7 mm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
RatingsAEC-Q101
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade