Diodes Inc. DMN3030LSS-13
$ 0.213
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN3030LSS-13 | 1.770 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN3030LSS-13 | 5.000 | 2500 | |||||||||
| Verical | DMN3030LSS-13 | 5.000 | 2500 | |||||||||
| DigiKey | DMN3030LSS-13DICT-ND | 2.598 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN3030LSS-13 | 0 | 1 | 10h |
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Tendência de 3 meses: -7.83%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2008-03-17
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
Peças relacionadas
Diodes Inc.DMN4468LSS-13
1.52W(Ta) 20V 1.95V@ 250¦ÌA 18.85nC@ 10 V 1N 30V 14m¦¸@ 11.6A,10V 10A 867pF@10V SOIC-8 1.5mm
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN3030LSS-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
Power MOSFET, N Channel, 30 V, 9 A, 0.0157 ohm, SOIC, Surface Mount
Mosfet, N-Ch, 30V, 9A, Soic Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3030LSS-13
Trans MOSFET N-CH 30V 9A Automotive 8-Pin SO T/R
2.5W(Ta) 25V 2.1V@ 250¦ÌA 25nC@ 10 V 1N 30V 18m¦¸@ 9A,10V 9A 741pF@15V SOIC-8 4.95mm*3.95mm*1.5mm
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET, 30V VDS, 25±V VGS
Diodes Inc SCT
Small Signal Field-Effect Transistor, 9A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
MOSFET NMOS SINGLE N-CHANNL 30V 9A
FET Input Operational Amplifier
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageSOIC
MountSurface Mount
Number of Pins8
Number of Terminals8
Weight850.995985 mg
Technical
Continuous Drain Current (ID)9 A
Drain to Source Breakdown Voltage30 V
Drain to Source Resistance18 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time14 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)25 V
Input Capacitance741 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation1.4 W
Min Breakdown Voltage30 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel
Rds On Max18 mΩ
Rise Time4.5 ns
Turn-Off Delay Time18 ns
Turn-On Delay Time3.2 ns
Dimensions
Height1.5 mm
Length4.95 mm
Width3.95 mm
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade