Diodes Inc. DMN3016LFDE-13
$ 0.201
Production
Preço e estoque
Distribuidores autorizados
Distribuidores de estoque não autorizados
Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Newark | DMN3016LFDE-13 | 9.365 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN3016LFDE-13DICT-ND | 8 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN3016LFDE-13 | 0 | 10K | 1d | ||||||||
| Avnet | DMN3016LFDE-13 | 0 | 10K | 2d | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN3016LFDE-13 | 0 | 10K |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Cadeia de suprimentos
Country of OriginMainland China
Export Control Classification Number (ECCN) CodeEAR99
Introduction Date2013-09-19
Lifecycle StatusProduction (Last Updated: 4 months ago)
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DMG7430LFG Series 30 V 11 mOhm N-Channel Enhancement Mode Mosfet -POWERDI®3333-8
Diodes Inc.DMG4406LSS-13
Single N-Channel 30 V 2 W 12.5 nC Silicon Surface Mount Mosfet - SOIC-8
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN3016LFDE-13 fornecidas pelos seus distribuidores.
N-Channel 30 V 12 mOhm Surface Mount Enhancement Mode Mosfet - DFN2020-6
Mosfet, N-Ch, 30V, 10A, U-Dfn2020 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN3016LFDE-13
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET Small Signal Field-Effect Transistor
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
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Especificações técnicas
Physical
MountSurface Mount
Number of Pins6
Technical
Continuous Drain Current (ID)10 A
Drain to Source Voltage (Vdss)30 V
Fall Time5.6 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)20 V
Input Capacitance1.415 nF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation730 mW
Min Operating Temperature-55 °C
PackagingTape & Reel (TR)
Rds On Max12 mΩ
Rise Time16.5 ns
Turn-Off Delay Time26.1 ns
Turn-On Delay Time4.8 ns
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant