Diodes Inc. DMN21D2UFB-7B
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Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| Avnet | DMN21D2UFB-7B | 10.000 | 10K | 5d | ||||||||
| Newark | DMN21D2UFB-7B | 912 | 5 | Cut Tape | ||||||||
| DigiKey | DMN21D2UFB-7BDICT-ND | 67.646 | 1 | Cut Tape | ||||||||
| TME | DMN21D2UFB-7B | 0 | 10K | 2h | ||||||||
| Future Electronics | DMN21D2UFB-7B | 0 | 10K | Tape & Reel |
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | 3D | Baixar |
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Mosfet, N-Ch, 20V, 0.51A, X2-Dfn0806 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN2990UFA-7B
Diodes Inc.DMN2400UFB4-7
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN T/R / MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN21D2UFB-7B fornecidas pelos seus distribuidores.
Mosfet, N-Ch, 20V, 0.76A, X1-Dfn1006 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMN21D2UFB-7B
Power MOSFET, N Channel, 20 V, 760 mA, 0.6 ohm, X1-DFN1006, Surface Mount
Trans MOSFET N-CH 20V 0.76A Automotive 3-Pin DFN T/R
Small Signal Field-Effect Transistor, 0.76A I(D), 20V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 12±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFET, N CHANNEL, TRANS,20V 0.76A DFN3
MOSFET, N-CH, 20V, 0.76A, X1-DFN1006;
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
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Tendência de 3 meses: -75.54%
Modelos CAD
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Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDFN
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)760 mA
Drain to Source Resistance990 mΩ
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Fall Time9.8 ns
Gate to Source Voltage (Vgs)12 V
Input Capacitance27.6 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation900 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-55 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
Rds On Max990 mΩ
Rise Time4.2 ns
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time19.6 ns
Turn-On Delay Time3.5 ns
Dimensions
Height480 µm
Length1.08 mm
Width675 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade