Diodes Inc. DMN2005LP4K-7
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Production
Preço e estoque
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Revendedores não autorizados
| Distributor | SKU | Min | Pkg | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TME | DMN2005LP4K-7 | 0 | 1 | 23h | ||||||||
| Avnet | DMN2005LP4K-7 | 0 | 3K | 3h | ||||||||
| Future Electronics | DMN2005LP4K-7 | 0 | 3K | Tape & Reel | ||||||||
| Arrow Electronics | DMN2005LP4K-7 | 0 | 3K | |||||||||
| Mouser | 621-DMN2005LP4K-7 | 284 | 1 | Tape & Reel |
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Modelos CAD
Baixe o símbolo, a pegada e o 3D STEP
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0 peça disponível
Fichas técnicas e documentos
Baixe as fichas de dados e a documentação do fabricante para Diodes Inc. DMN2005LP4K-7.
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| FONTE | eCAD | mCAD | ARQUIVOS |
|---|---|---|---|
 Component Search Engine | SímboloPegada | 3D | Baixar |
 SnapEDA | Pegada | Baixar |
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Mosfet, P-Ch, 20V, 0.33A, X2-Dfn0806 Rohs Compliant: Yes |Diodes Inc. DMP22D4UFA-7B
Diodes Inc.DMN2400UFB4-7
Trans MOSFET N-CH 20V 0.75A 3-Pin DFN T/R / MOSFET N-CH 20V 750MA DFN1006H4
Descrições
Descrições de Diodes Inc. DMN2005LP4K-7 fornecidas pelos seus distribuidores.
Single N-Channel 20 V 1.5 Ohm Enhancement Mode Transistor-DFN-3
MOSFET N-CH 20V 200MA 3-DFN / Trans MOSFET N-CH 20V 0.3A 3-Pin DFN T/R
Power Field-Effect Transistor, 0.2A I(D), 20V, 3.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
N-Channel Mosfet, 20V VDS, 10±V VGS
Diodes Inc SCT
MOSFETs - Low Threshold Voltage 30V 300mA
Nomes alternativos do fabricante
Diodes Inc. possui diversas marcas em todo o mundo que os distribuidores podem usar como nomes alternativos. Diodes Inc. também pode ser conhecido(a) pelos seguintes nomes:
- Diodes Incorporated
- DIODE
- DII
- DIO
- DIODE INC
- DC COMPONENTS
- DIOD
- YENYO
- Diodes Zetex
- MICRO COM
- MICRO ELECTRONIC INS
- Diodes Inc / Zetex
- DIODE INCORPORATED
- DIODES ZET
- DIODSE
- DINC
- Diodes Inc Inc
- DIOINC
- FORMOSA MS
- DIODES INC(RoHS)
- ZETEX (DIODES INC)
- DIODES INC/VISHAY
- Diodes Incorporation
- ZETEXDIODES
- DIODES INC/VISH
- Pericom
- Diodes Incorporated
Histórico de estoque
Tendência de 3 meses: -78.04%
Modelos CAD
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Peças alternativas
0 peça disponível
Especificações técnicas
Physical
Case/PackageDFN
Contact PlatingGold
MountSurface Mount
Number of Pins3
Number of Terminals3
Technical
Continuous Drain Current (ID)200 mA
Drain to Source Breakdown Voltage20 V
Drain to Source Resistance3.5 Ω
Drain to Source Voltage (Vdss)20 V
Element ConfigurationSingle
Gate to Source Voltage (Vgs)10 V
Input Capacitance41 pF
Max Operating Temperature150 °C
Max Power Dissipation200 mW
Min Breakdown Voltage20 V
Min Operating Temperature-65 °C
Number of Channels1
Number of Elements1
PackagingTape & Reel (TR)
Power Dissipation200 mW
Rds On Max1.5 Ω
Resistance1.5 Ω
Schedule B8541210080
Turn-Off Delay Time13.7 ns
Turn-On Delay Time4.06 ns
Dimensions
Height350 µm
Length1 mm
Width600 µm
Fichas técnicas e documentos
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Conformidade
Classificação ambiental
China RoHSCompliant
Lead FreeLead Free
Radiation HardeningNo
REACH SVHCYes
RoHSCompliant
Declarações de conformidade